特許

J-GLOBAL ID：200903053455014389

半導体薄膜の形成方法及びMOS型トランジスタの作製方法

発明者： 塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351438
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177155
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】ソース・ドレイン領域の活性化アニール等の熱処理においても水素が脱離しない半導体薄膜の形成方法及びMOS型トランジスタの作製方法を提供する。【構成】半導体薄膜の形成方法は、(イ)トランジスタのチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成するための半導体薄膜12を絶縁基板10上に形成する工程と、(ロ)この半導体薄膜12を窒素及び水素を成分とするガス中で熱処理する工程から成る。MOS型トランジスタの作製方法の一態様は、(イ)トランジスタのチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成するための半導体薄膜を絶縁基板上に形成する工程と、(ロ)この半導体薄膜を窒素及び水素を成分とするガス中で熱処理する工程と、(ハ)この半導体薄膜にチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)トランジスタのチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成するための半導体薄膜を絶縁基板上に形成する工程と、(ロ)該半導体薄膜を窒素及び水素を成分とするガス中で熱処理する工程、から成ることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324