特許
J-GLOBAL ID：200903053460107182
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157838
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005094
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、未使用のページであっても正しく読み出すことができてハードディスク装置と互換性を持たせることを目的とする。【構成】 メモリ手段10の初期化時において各ページに所定のデータと該所定のデータに対応した誤り訂正用データとを書き込む制御手段110を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
それぞれファイルデータ及び誤り訂正用データを記憶する領域を備えた複数のページから構成されるメモリ手段と、該メモリ手段の初期化時に前記各ページに所定のデータと該所定のデータに対応した誤り訂正用データとを書き込む制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 302
, G11C 16/06
