特許
J-GLOBAL ID:200903053469989218

X線マスクおよびその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-049517
公開番号(公開出願番号):特開平6-267829
出願日: 1993年03月10日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【構成】 ダイヤモンド結晶形成時の基体温度を400〜900°Cとすることによって形成される結晶を{111}面配向性とし、選択堆積法等によって結晶核の発生密度を制御しながら、CVD法、燃焼炎法などの方法を用いて平板ダイヤモンド結晶を形成し、その結晶を成長、合体および膜状成長させることによって、ダイヤモンド多結晶膜とし、その結晶膜を用いてX線露光マスクを形成する。【効果】 本発明の方法で形成される配向性の高い平板ダイヤモンド結晶を、成長、合体および膜状成長させて得られるダイヤモンド結晶膜を用いて、熱伝導率および膜の平坦性の非常に優れたX線マスクを製造することができる。
請求項(抜粋):
ダイヤモンド結晶を用いるX線マスクにおいて、ダイヤモンド結晶膜が、基体面に垂直な方向の長さの基体面に平行な方向の長さに対する比の値が1/4ないし1/1000であり、該基体面と結晶上面とがなす角が0ないし10度である平板ダイヤモンド結晶が多数合体した形態の多結晶膜であることを特徴とするX線マスク。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • スチールコード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-343914   出願人:ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム

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