特許
J-GLOBAL ID：200903053470117976
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273089
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【構成】 反応容器1内には平行平板電極2及び6が設けられている。陰極電極2は被処理基板3を設置する機能を有し、陽極電極6は弗素ラジカルと反応するハロゲン消費物体としての機能を有し、Siで形成されている。陰極電極2に接続された高周波電源7を用いて13.56MHz、800Wの高周波電力を印加し放電を誘起する。また、陽極電極6には高周波電源8が接続され、陽極電極6に所望のバイアスを印加することができる。陽極電極6の裏面対向位置には永久磁石9及びその駆動機構10からなる磁場発生器が設置され、陰極電極2と陽極電極6との対向空間に磁界を印加するものとなっている。【効果】 シリコン酸化膜をシリコン、アルミニウム、窒化チタン、チタンシリサイド、タングステン、タングステンシリサイド、窒化シリコン、銅、ニオブに対し選択的にエッチングできる。
請求項（抜粋）：
反応容器と、この反応容器内に設置される被処理基板を保持する手段と、前記反応容器内にハロゲン元素を含有するガスを導入する手段と、前記反応容器内に設けられたハロゲン消費物体と、このハロゲン消費物体の反応を促進するための反応促進手段と、前記反応容器内を排気する手段と、前記反応容器内に電界を印加することによりプラズマを生成する手段とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 F
