特許

J-GLOBAL ID：200903053476109401

高密度磁気記録媒体パターンドメディアとその製造方法

発明者： 中谷 功
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  科学技術庁金属材料技術研究所長
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284946
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110050
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 パターンドメディアの生産性に富む合理的な構造と環境負荷の少ない合理的な製造プロセスを提供する。【解決手段】 高密度磁気記録媒体パターンドメディアであって、メディア基板上に被覆されたマトリクス薄膜?Gもしくはメディア基板には凹状のトレンチ配列?Cがエッチングにより形成されており、このトレンチ配列?Cの凹部には、マトリクス薄膜もしくはメディア基板表面高さまで磁性材料が埋設されて磁気ビット配列?Eが形成されていることを特徴とする高密度磁気記録媒体パターンドメディアとする。

請求項（抜粋）：

高密度磁気記録媒体パターンドメディアであって、メディア基板上に被覆されたマトリックス薄膜もしくはメディア基板には凹状のトレンチ配列がエッチングにより形成されており、このトレンチ配列の凹部には、マトリックス薄膜もしくはメディア基板表面高さまで磁性材料が埋設されて磁気ビット配列が形成されていることを特徴とする高密度磁気記録媒体パターンドメディア。

IPC (2件)：

G11B 5/85 ,  G11B 5/65

FI (2件)：

G11B 5/85 Z ,  G11B 5/65

Fターム (8件)：

5D006AA01 ,  5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112AA24 ,  5D112FA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-137824
  
• 特開平2-201732
  
• 特開平3-137824
  
• 特開平2-201732