特許
J-GLOBAL ID：200903053480838515
シリコン基板のエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140641
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 エアブリッジパターンを含むレイアウトの自由度を向上させ,汎用性を向上させる。【構成】 面方位(100)のシリコン基板上101にエアブリッジパターンを含むマスク層102を形成し,エアブリッジパターンの下部のアンダーカットされた周辺曲面の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方になるまで等方性エッチングを行った後,異方性エッチングによってエアブリッジ103を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンの結晶軸異方性を利用してエアブリッジを形成するシリコン基板のエッチング方法において,両方位(100)のシリコン基板上にエアブリッジパターンを含むマスク層を形成し,エアブリッジパターン下部のアンダーカットされた周辺局面の接線の交点がエアブリッジパターン面より下方になるまで等方性エッチングを行った後,異方性エッチングによってエアブリッジを形成することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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