特許
J-GLOBAL ID:200903053482237977

半導体素子実装装置および半導体素子実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-317249
公開番号(公開出願番号):特開2000-150580
出願日: 1998年11月09日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 一垂直断面が円弧状である圧着面を有する圧着ステージを用いることによって、基板に反りを生じさせることなく半導体素子を基板に実装することができる半導体素子実装装置および半導体素子実装方法を提供する。【解決手段】 圧着ステージ10と圧着ツール11とを備え、圧着ステージ10は、一垂直断面が円弧状である圧着面10bを有する凸部10aを備える。異方導電接着剤16を塗布したガラス基板13上に半導体素子15を配置した後、圧着ステージ10および圧着ツール11を用いて加圧し加熱することによって、ガラス基板13上の電気配線14と半導体素子15とを電気的に接続する。
請求項(抜粋):
基板の一主面に形成された電気配線上に異方導電接着剤と半導体素子とを配置して加圧することによって前記半導体素子を前記電気配線に実装する半導体素子実装装置であって、前記基板の他主面を加圧する凸部を有する圧着ステージと前記半導体素子を加圧する圧着面を有する圧着ツールとを備え、前記圧着ステージの前記凸部は一垂直断面が円弧状である圧着面を有することを特徴とする半導体素子実装装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H05K 3/32
FI (2件):
H01L 21/60 311 T ,  H05K 3/32 B
Fターム (7件):
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319CC12 ,  5F044KK06 ,  5F044LL09 ,  5F044PP16

前のページに戻る