特許
J-GLOBAL ID：200903053485505840
半導体薄膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316145
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】基板上にヘテロエピタキシャル成長により半導体薄膜を形成する場合に、半導体材料と基板材料との結晶構造のミスマッチの問題を解決して結晶性良好な半導体薄膜を得る。【構成】半導体材料の基板上に層状結晶構造をもつカルコゲナイドよりなるバッファ層を形成し、その上に半導体薄膜を積層する。GaSe、MoS2 等のカルコゲナイドは単位層間は弱いファンデルワールス力のみで結合しているので、この部分で基材と薄膜の半導体材料の間の結晶構造のミスマッチが補償され、基板と薄膜の結晶方向の揃った良好なエピタキシャル性が得られる。
請求項（抜粋）：
原子が正四面体配置を取る結晶構造をもつ半導体よりなる薄膜を、同様に原子が正四面体配置を取る結晶構造をもつが、前記薄膜を構成する半導体と異種の半導体よりなる基板上に、カルコゲナイドの1種あるいは複数種よりなり、層状結晶構造をもつ化合物よりなるバッファ層を介して形成することを特徴とする半導体薄膜の成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C30B 23/08
, C30B 29/40 502
, H01L 21/20
, H01L 21/363
H01L 21/203 M
, C30B 23/08 M
, C30B 29/40 502 H
, H01L 21/20
, H01L 21/363
