特許
J-GLOBAL ID：200903053486366011
フラッシュ型EEPROM及び半導体ファイル装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-274745
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131892
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明はユーザの手元に届く前に欠陥・劣化情報が書き込まれたフラッシュ型EEPROMを提供することを目的としている。【構成】 本発明において、フラッシュ型EEPROM1の消去ブロック000には、このEEPROM1の欠陥・劣化情報が書き込まれている。従って、このEEPROM1を組み込んだ装置はまず前記消去ブロック000内の欠陥・劣化情報を読み込んで、前記EEPROM1にアクセスするアドレスを再設定して、前記欠陥・劣化部分のアドレスを除外するようにする。これにより、前記装置にフラッシュ型EEPROMの欠陥・劣化部分を調査する能力がなくても、上記したフラッシュ型EEPROMを使用することができる。
請求項（抜粋）：
フラッシュ型EEPROMにおいて、データが書き込めない又は書き込んだデータが不安定になる記憶領域の位置情報を書き込んだ領域を有することを特徴とするフラッシュ型EEPROM。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 310
