特許

J-GLOBAL ID：200903053487238564

銅 ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法

発明者： 田 宮 幸 広 ,  佐 伯 典 之 ,  三 宅 明 広 ,  竹 中 幹 又
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021157
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 銅とポリイミドフィルムとの密着強度を損なうことなく、高温環境下における長時間放置による密着強度の低下が無視でき、従来の下地金属層の除去工程の採用を可能とさせる銅ポリイミド基板の提供を目的とする。【構成】 ポリイミドフィルムの表面を0.1mol/1以上の過マンガン酸ナトリウムまたは過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸塩水溶液、またはその水溶液中の有効塩素濃度が3〜13%の次亜塩素酸ナトリウムあるいは次亜塩素酸カリウム等の次亜塩素酸塩水溶液のいずれか一つで親水化し、無電解金属メッキ層として、その不純物含有量が10重量%以下であり、その厚みが0.01〜0.1μmである無電解ニッケルメッキ層あるいは無電解コバルトメッキ層あるいは無電解ニッケル・コバルト合金メッキ層を設ける。

請求項（抜粋）：

ポリイミドフィルムの表面を親水化し、触媒を付与し、無電解金属メッキ層を設け、その後無電解銅メッキ、電気銅メッキの内の少なくとも一つの方法を用いて該無電解金属メッキ層の上に銅層を設けて銅ポリイミド基板を製造する方法において、過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩のいずれか一つを含む水溶液で親水化し、無電解金属メッキ層として、その不純物含有量が10重量%以下であり、その厚みが0.01〜0.1μmである無電解ニッケルメッキ層あるいは無電解コバルトメッキ層あるいは無電解ニッケル・コバルト合金メッキ層を設けることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  B32B 15/08 ,  C23C 18/24 ,  C23C 18/52 ,  C25D 5/56