露光方法および反射型マスク

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157131
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352669
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】極端紫外光リソグラフィ技術において、転写パターンの寸法精度を向上する。【解決手段】反射型マスクにおいて、第1の多層膜2を有する第1の領域と、第1の多層膜2と中間層3および第2の多層膜4を有する第2の領域とを形成し、第2の領域の反射率を第1の領域の反射率より小さくする。

請求項（抜粋）：

極端紫外光または真空紫外光が照射される反射型マスクにおいて、少なくとも、第1の多層膜を有する第1の領域と、上記第1の多層膜と中間層および第2の多層膜を有する第2の領域とが形成され、上記第2の領域の反射率が上記第1の領域の反射率より小さいことを特徴とする反射型マスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 Z , G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 531 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

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