特許
J-GLOBAL ID:200903053499687046

半導体多層膜の層厚評価方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 敏夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-209971
公開番号(公開出願番号):特開平11-040635
出願日: 1997年07月18日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体多層膜の各層の厚さを非破壊で精度よく評価できるようにし、信憑性の高い膜厚データを得られるようにする。【解決手段】 本発明に係る半導体多層膜の層厚評価方法は、半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわたって行うことを特徴とするものである。図1から本発明による評価値はTEM評価値に近似しており、従来による評価値よりもはるかに信憑性が高いことが明らかである。
請求項(抜粋):
半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわたって行うことを特徴とする半導体多層膜の層厚評価方法。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01B 11/06
FI (2件):
H01L 21/66 P ,  G01B 11/06 H

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