特許

J-GLOBAL ID：200903053499761645

パワー半導体モジュール

発明者： 木ノ内 伸一 ,  武藤 浩隆 ,  大井 健史 ,  碓井 修 ,  堀口 剛司 ,  菊永 敏之 ,  奥田 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311983
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 並列接続された半導体素子間の電流のアンバランスを緩和することができ、安定で良好なパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 バランス制御素子11をIGBT素子5およびフリーホイルダイオード素子4上に設置する。バランス制御素子11の主材料は(V1-x Crx )2 O3 系酸化物伝導体であり、(V1-x Crx )2 O3 系酸化物伝導体は組成xをx=0.005〜0.018に変化させることにより、250K〜430Kの温度範囲で、低温領域での金属状態(M)から高温領域での非金属状態(I)へへの相転移を行い、高温時でのバランス制御素子11の抵抗値を高くし、回路のインピーダンスを大きくする。

請求項（抜粋）：

複数のパワー半導体素子を並列接続してなるパワ-半導体モジュールにおいて、上記パワー半導体素子近傍に配設され、上記パワー半導体素子の主電極と外部配線用電極とを繋ぐ主回路配線中に上記パワー半導体素子と直列に接続され、低温時には低抵抗となり、高温時には高抵抗となる制御素子を備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18