特許
J-GLOBAL ID：200903053502471181
アルミニウム材料の成膜方法及び成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183729
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064902
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハのコンタクトホールの内部にアルミニウム材料を低温で埋め込むアルミニウム材料の成膜方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、アルミニウム材料の成膜装置(10)を用いて、PVD法及びCVD法が真空下で一貫して行われる。まず、第1のPVDチャンバ(18)内で半導体ウェハ上にバリアメタル膜(110)の成膜させる。その後、CVDチャンバ(28)内でシリコンからなる濡れ性改善膜(112)を被覆させる。つぎに、第2のPVDチャンバ(20)内でアルミニウム(114)を成膜させる。そして、第3のPVDチャンバ(22)で半導体ウェハ(100)を加熱し、ホール(104)の内部にアルミニウム(114)を埋め込むと共に表面を平坦化させる。この方法は真空下で行なわれる連続的なプロセスなので、歩留り良い半導体デバイスの大量製造が可能である。
請求項（抜粋）：
コンタクトホール又はスルーホールを有する半導体ウェハにアルミニウム材料を成膜させる成膜方法において、前記半導体ウェハ上にシリコン又はシリサイドからなる濡れ性改善膜をCVD法によって成膜させる第1工程と、前記濡れ性改善膜上に、前記アルミニウム材料をPVD法によって成膜させる第2工程と、前記半導体ウェハを加熱することによって前記アルミニウム材料を溶融し、前記コンタクトホール又はスルーホールの内部に埋め込む第3工程と、を備え、前記各工程間の前記半導体ウェハの移送を真空下で行なうことを特徴とするアルミニウム材料の成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, C23C 14/56
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 21/88 N
, C23C 14/56 G
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/90 C
