特許

J-GLOBAL ID：200903053504118411

ウェットエッチング方法

発明者： 高橋 宏明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197466
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031111
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】低コストで及び高い精度でパターニングすることが可能なウェットエッチング方法を提供すること。【解決手段】本発明のウェットエッチング方法は、一方の主面にモリブデン或いはモリブデン合金からなる第1の薄膜とアルミニウム或いはアルミニウム合金からなる第2の薄膜とが形成された基板8に、硝酸と燐酸とを含有する第1のエッチング液を噴霧して前記第1の薄膜の露出部をエッチングする工程、及び前記第1の薄膜をエッチングする工程の後に、前記基板8に、硝酸と前記第1のエッチング液よりも高い濃度で燐酸とを含有する第2のエッチング液を噴霧して前記第2の薄膜の露出部をエッチングする工程を具備し、前記第1の薄膜の露出部をエッチングする工程と前記第2の薄膜の露出部をエッチングする工程とを連続的に行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一方の主面にモリブデン或いはモリブデン合金からなる第1の薄膜とアルミニウム或いはアルミニウム合金からなる第2の薄膜とが形成された基板に、硝酸と燐酸とを含有する第1のエッチング液を噴霧して前記第1の薄膜の露出部をエッチングする工程、前記第1の薄膜をエッチングする工程の後に、前記基板に、硝酸と前記第1のエッチング液よりも高い濃度で燐酸とを含有する第2のエッチング液を噴霧して前記第2の薄膜の露出部をエッチングする工程、前記第2の薄膜の露出部をエッチングする工程の後に、前記基板を洗浄する工程、及び前記基板を洗浄する工程の後に、前記基板を乾燥する工程を具備し、前記第1の薄膜の露出部をエッチングする工程と前記第2の薄膜の露出部をエッチングする工程とを連続的に行うことを特徴とするウェットエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/306 F ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/88 C

Fターム (21件)：

4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104HH14 ,  5F033AA12 ,  5F033AA36 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA37 ,  5F033BA41 ,  5F043AA24 ,  5F043AA27 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043DD12 ,  5F043DD13 ,  5F043DD23 ,  5F043EE02 ,  5F043EE07 ,  5F043EE36