特許
J-GLOBAL ID：200903053506117455
セラミックスの処理方法と処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
齋藤 義雄
, 齋藤 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070318
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049983
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 在来の加熱手段ととマイクロ波加熱手段とを組み合わせて、セラミック材料をより効率的に処理することのできる方法、装置を提供する。【構成】 装置:二次チャンバ24から穴開き壁22で分離された加熱チャンバ14を有するキルン10からなり、二次チャンバ24は在来の加熱手段26を収容している。方法:対流熱、輻射熱を適用し、材料の温度を所望温度まで上昇させ、材料を所望期間だけ所望温度に維持するためにマイクロ波放射を適用する。【効果】 在来の加熱法によりマイクロ波結合が飛躍的に増大するまでセラミック材料を加熱するため、セラミック材料がより効果的に処理できる。在来法の加熱段階でワークスペースの周囲温度を高めるため、マイクロ波加熱段階でのセラミック材料の内部、表面間の温度勾配が低下し、高品質の製品が得られる。
請求項（抜粋）：
断熱ハウジング(10)であって、ワークスペース(12)を確定している加熱チャンバ(14)と、該加熱チャンバ(14)に隣接して配置されている二次チャンバ(24)とを備えているもの、前記加熱チャンバ(14)であって、前記ワークスペース(12)を囲んでいる内部のマイクロ波不透過性ライニング(16、18、20、22)と、該ワークスペース(12)内に材料を置き、かつ、そこから材料を取り出すことのできるアクセス手段(15)を有するもの、在来の加熱手段(26)であって、前記二次チャンバ(24)内にあるもの、マイクロ波エネルギ源および制御手段であって、前記ワークスペース(12)内の周囲温度が設定温度に達したときに該マイクロ波エネルギ源を選択的に作動させるためのもの、導波管手段(30)であって、前記加熱チャンバ(14)内にマイクロ波エネルギを伝達するために該加熱チャンバ(14)に連結されたもの、および、穴開き壁(22)であって、前記二次チャンバ(24)から前記加熱チャンバ(14)にわたる対流熱および輻射熱の伝導が可能な加熱チャンバ(14)と二次チャンバ(24)とを区分しているものからなるセラミック材料の処理装置。
IPC (4件)：
F27D 3/12
, B01J 6/00 101
, B01J 6/00
, C04B 35/64
