特許

J-GLOBAL ID：200903053509734196

接合電極およびその形成方法

発明者： 浅井 正男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169671
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037188
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップを基板に実装するときに用いられる接合電極において、より高密度な実装を実現できる接合電極およびその形成方法を提供する。【構成】 基板10の電極12上にAlカレントフィルム層14を通してAlワイヤー16aを垂直に接合した後、Niメッキ膜16bで被覆し、Al/Ni柱16を形成したものを用意する。また、チップ20の電極22上にクリームハンダ24を印刷したものを用意する。次に、基板10上にチップ20を位置合わせした後、接触させる。その後、加熱処理によって、クリームハンダが溶けてAl/Ni柱16に沿って流れ落ちる。このようにして、両電極間との間に設けられ、かつ導電性の芯部材の周囲を覆うハンダ層24aを具え、全体形状が電極の両端と均一な太さあるいは中間部の細くなっている、柱状の接合電極が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体チップを基板に実装する際、前記半導体チップに形成されたチップ電極および前記基板に形成された基板電極とを接続するための接合電極において、前記チップ電極もしくは前記基板電極のいずれか一方に、ほぼ垂直に設けられた導電性芯部材と、前記導電性芯部材と、前記チップ電極もしくは前記基板電極の他方とを接続するハンダ層とから構成されることを特徴とする接合電極。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18

FI (2件)：

H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/92 602 C