半導体集積回路の配線構造と半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343543
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路における電源配線、アース配線を最上層にエアブリッジ配線として構成することによって、下層の信号配線との配線間容量を大幅に低減させることを目的とする。【構成】半絶縁性GaAs基板1上に第1層間絶縁膜2を介して第1信号配線3を形成し、この第1信号配線3に一部接続して第2層間絶縁膜4上に第2信号配線5を形成し、この第2信号配線5に一部接続して最上層にメッキ形成法により分離長の大きい厚膜の電源配線、アース配線を中空構造のエアブリッジ配線7、8として構成した。

請求項（抜粋）：