特許
J-GLOBAL ID：200903053517580459
ウェハ特性の制御方法及びその制御システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-505995
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518654
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
半導体処理ツールによって、インサイチュウセンサから収集したデータを使用してウェハ特性が制御される。最初に、ウェハ特性に関連するデータが、ウェハ製法パラメータに従ってプロセスが実行されている間、インサイチュウセンサを使用して収集される。次に、インサイチュウセンサを使用して収集したウェハ特性に関連するデータと、ウェハ出力を予測するために使用されるプロセスモデルによる予測結果が比較され、その比較の結果に応じて製法パラメータを修正することによってプロセスが調整される。次に、インサイチュウセンサを使用して収集したデータを利用した次のプロセスが実行される。本発明の少なくともいくつかの実施例では、半導体処理ツールが次に処理するウェハに対するランツーラン制御にこのデータを使用することができる。
請求項（抜粋）：
半導体処理ツール内のウェハ特性を、インサイチュウセンサから収集したデータを使用して制御するためのウェハ特性の制御方法であって、
前記ウェハ特性に関連する製法パラメータを、ウェハ出力を予測するために使用されるプロセスモデルに従って設定する設定ステップと、
前記半導体処理ツールを使用して、前記製法パラメータに従ってウェハに対するプロセスを実行する実行ステップと、
前記プロセスを実行している間、前記インサイチュウセンサを使用して前記ウェハ特性に関連するデータを収集する収集ステップと、
前記インサイチュウセンサを使用して収集した前記ウェハ特性に関連する前記データと前記モデルによる予測結果を比較し、その比較の結果に応じて前記製法パラメータを修正することによって前記プロセスを調整する調整ステップと、
前記インサイチュウセンサを使用して収集した前記データを、前記半導体処理ツールが実行すべき次のウェハに対するプロセスに使用する使用ステップと
を備えたことを特徴とするウェハ特性の制御方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 622R
, H01L21/304 622S
, H01L21/66 P
4M106AA01
, 4M106BA11
, 4M106BA20
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DJ18
, 4M106DJ38
