特許
J-GLOBAL ID:200903053518752938

多層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-133909
公開番号(公開出願番号):特開平10-326965
出願日: 1997年05月23日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】ボンディングパッドに被着させた半田バンプの融点が上昇したり、機械的強度が脆弱となって、ボンディングパッドと電子部品との接続の信頼性が低下する。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体層3とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層3を有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホール導体9を介して電気的に接続してなり、かつ最上層の有機樹脂絶縁層2aに設けた穴部10内に、前記薄膜配線導体層3と電気的に接続し、外部の電子部品Aの電極が接続されるボンディングパッド11を形成した多層配線基板であって、前記ボンディングパッド11上に銅層13を被着し、次にこの銅層13に対して銅と半田の置換による無電解半田めっきを施して銅層13を第1半田層15に変え、最後に前記第1半田層15上に電解めっき法により第2半田層16を被着させ半田バンプ12を形成する。
請求項(抜粋):
基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、かつ最上層の有機樹脂絶縁層に設けた穴部内に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品の電極が接続されるボンディングパッドを形成した多層配線基板であって、前記ボンディングパッドに下記(a)乃至(f)の工程により半田バンプを被着させたことを特徴とする多層配線基板の製造方法。(a)最上層の有機樹脂絶縁層の上面及び穴部内面の表面粗さを中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmとなるように粗化処理をする工程と、(b)前記粗化処理された有機樹脂絶縁層の上面及び穴部内面と、有機樹脂絶縁層の穴部内に露出するボンディングパッドの表面に無電解めっき法により銅層を被着させる工程と、(c)前記最上層の有機樹脂絶縁層の上面に被着されている銅層をめっきレジスト膜で被覆する工程と、(d)前記最上層の有機樹脂絶縁層に設けた穴部内面及び穴部内に露出しているボンディングパッドの表面に被着された銅層に対し、銅と半田の置換による無電解半田めっきを施し、銅層に変えて第1半田層を被着させる工程と、(e)前記第1半田層の表面に、該第1半田層とめっきレジスト膜で被覆されている銅層とを電極線として電解めっき法により第2半田層を被着させる工程と、(f)前記めっきレジスト膜及び最上層の有機樹脂絶縁層の上面に被着されている銅層を除去する工程
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

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