特許

J-GLOBAL ID：200903053520584759

炭化珪素半導体装置

発明者： 片岡 光浩 ,  中村 広希 ,  大矢 信之
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326936
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144288
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 MOSFETのさらなるオン抵抗低減を図る。【解決手段】 表面チャネル層5に形成されたチャネル領域を流れる電流の方向が[11-20]に設定されるようにする。このように、チャネル領域を流れる電流の方向をチャネル移動度が最大となる[11-20]方向に設定することにより、チャネル抵抗を低減することができ、MOSにおいてさらなるオン抵抗の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

主表面(1a)及び該主表面の反対面である裏面(1b)を有し、炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3)と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)と、前記ベース領域のうち前記ソース領域及び前記半導体層に挟まれた部分の上に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ベース領域及び前記ソース領域と接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板(1)の裏面に形成されたドレイン電極(11)とを備える炭化珪素半導体装置において、前記ゲート電極の下に形成されるチャネル領域を流れる電流の方向が[11-20]に設定されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

FI (6件)：

H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 F

Fターム (6件)：

5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F040DC10 ,  5F040EA05 ,  5F040EC07 ,  5F040EM00