特許
J-GLOBAL ID：200903053522904912
フォトマスク、露光装置、及びマイクロデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 均 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321753
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 露光光の短波長化や高スループット化に十分に対応しつつ、高精度なパターン形成を可能とし、高性能、高品質、高信頼なマイクロデバイスを製造できるようにすることである。【解決手段】 レチクル(フォトマスク)Rは、レチクル基板51の表面に高反射率を有する遮光性パターン52を形成して構成される。遮光性パターン52はアルミニウム、モリブデン、シリコン、若しくはタングステン等の金属薄膜、又はフッ化カルシウム膜とフッ化ランタン膜とを交互に積層する等による誘電体多層膜から構成される。マスク基板51としては、蛍石、フッ素ドープ石英、合成水晶等を用いる。
請求項（抜粋）：
マスク基板の表面に高反射率を有する遮光性パターンを形成してなることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 K
, H01L 21/30 502 P
2H095BA07
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 2H095BC27
