特許

J-GLOBAL ID：200903053526090731

磁性体装置及びその製造方法

発明者： 武田 正行 ,  井谷 司 ,  中村 哲一 ,  須田 章一 ,  千葉 洋 ,  渡部 慶二 ,  栗原 和明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100036
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 磁気スペーシングを増加することなく耐食性を向上することができる磁性体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 非磁性体の基板22と、基板22上に形成されたニッケル-リン層24と、ニッケル-リン層24上に形成されたクロム下地層26と、クロム下地層26上に形成された磁性層28と、磁性層28上に形成されたクロム添加炭素系保護膜30とを有する。

請求項（抜粋）：

非磁性体基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層を不動態化処理する工程とを有することを特徴とする磁性体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G11B 5/84 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/851

FI (4件)：

G11B 5/84 Z ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/851

Fターム (16件)：

5D006AA02 ,  5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D006FA01 ,  5D112AA05 ,  5D112AA07 ,  5D112AA24 ,  5D112BB11 ,  5D112BC05 ,  5D112FA04 ,  5D112GA02 ,  5D112GA05 ,  5D112GA18 ,  5D112GA19 ,  5D112GA28