特許

J-GLOBAL ID：200903053530671820

半導体基板及びその製造方法

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018933
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213403
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板10の表面から50μm以上離れた領域に、転位11cを伴う板状のSiO2 析出物11bを1010〜1012個/cm3 の密度で含有している半導体基板10。【効果】 半導体基板10の表面近傍におけるLSI素子の活性領域にDZ層12が形成されると共に、半導体基板10の内部に所定密度のSiO2 析出物11b及び転位11cを含むIG層11が確実に形成され、汚染物質に対するゲッタリング能力が高められる。また半導体基板10の内部における格子間酸素濃度が8〜12×1017個/cm3 程度に維持されるため、この格子間酸素濃度の減少に伴う強度の低下が防止される。この結果、半導体基板10におけるリーク電流の増大や酸化膜耐圧の低下を防止すると共に、変形を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

酸素を含む半導体基板において、該半導体基板の表面から50μm以上離れた領域に、転位を伴う板状のSiO2 析出物を1010〜1012個/cm3 の密度で含有していることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02