特許

J-GLOBAL ID：200903053532989185

半導体装置の製造方法

発明者： 藤尾 正之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309639
公開番号（公開出願番号）：特開2002-116556
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 高段差基板上において凹部のレジスト残りを発生させず、高精度でかつ微細なレジストパターンを形成することを課題とする。【解決手段】 凹凸を有する基板上のフォトリソグラフィー技術によるレジストパターン加工の工程において、基板上にアルカリ可溶性のポリイミド前駆体膜または水溶性有機膜を形成し、その次に基板の凸部表面が露出するまでポリイミド前駆体膜または水溶性有機膜をドライエッチング法によりエッチバックして除去することで基板の凹部にのみポリイミド前駆体膜または水溶性有機膜を充填し、その次にポジ型フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光、現像する工程により、ポジ型フォトレジスト膜の露光部の溶解と同時に凹部に充填されたポリイミド前駆体膜または水溶性有機膜も選択的に除去することを特徴とした半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。

請求項（抜粋）：

凹凸を有する基板上のフォトリソグラフィー技術によるレジストパターン加工の工程において、基板上にアルカリ可溶性のポリイミド前駆体膜を形成し、その次に基板の凸部表面が露出するまでポリイミド前駆体膜をドライエッチング法によりエッチバックして除去することで基板の凹部にのみポリイミド前駆体膜を充填し、その次にポジ型フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光、現像する工程により、ポジ型フォトレジスト膜の露光部の溶解と同時に凹部に充填されたポリイミド前駆体膜も選択的に除去することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 563

Fターム (21件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA23 ,  2H025DA26 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096DA01 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  5F046HA07 ,  5F046LA19