特許
J-GLOBAL ID：200903053537055520
パッシベーション膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114002
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298193
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法を用いたパッシベーション膜の製造方法に関し、耐湿性および膜質に優れ、かつストレスを制御することができるパッシベーション膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 内部に2つの電極が配置されたチャンバと、該電極間にプラズマを発生させるための高周波RF電源と低周波RF電源と、チャンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを供給するガス供給管と、チャンバ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマCVD装置におけるパッシベーション膜の製造方法であって、チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程と、高周波RF電源のRFパワーに対する低周波RF電源のRFパワーの比を1.0以上に設定し、2周波のRF励起により被処理物上にパッシベーション膜を堆積する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
内部に2つの電極が配置されたチャンバと、該電極間にプラズマを発生させるための高周波RF電源と低周波RF電源と、チャンバに接続され、該チャンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを供給するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャンバ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマCVD装置におけるパッシベーション膜の製造方法であって、前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程と、前記高周波RF電源のRFパワーに対する前記低周波RF電源のRFパワーの比を1.0以上に設定し、2周波のRF励起により前記被処理物上にパッシベーション膜を堆積する工程とを含むパッシベーション膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, H01L 21/316 X
