特許

J-GLOBAL ID：200903053542205360

マスクROMとその製造方法

発明者： 滝沢 誠 ,  金箱 和範
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081236
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283654
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】本発明のマスクROMは、メモリセルトランジスタのチャネル領域が複数に分割されていて、各チャネル領域上のゲート電極の厚さまたはゲート電極の厚さが異なっている。【効果】本発明によれば、イオン注入によりデータを書込む際に各チャネル領域毎にしきい電圧を異ならせることが出来る。従ってメモリセルトランジスタに複数の情報を書込んだ多値ROMが実現できる。

請求項（抜粋）：

第1導電領域と、前記第1導電領域内に形成した第2導電型のソース領域と、前記第1導電領域内に形成した第2導電型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに隣接する第1のチャネル領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに隣接する第2のチャネル領域と、前記第1のチャネル領域上と前記第2のチャネル領域上とに形成したゲート絶縁膜と、前記第1のチャネル領域上の前記ゲート絶縁膜上に形成した第1のゲート電極と、前記第2のチャネル領域上の前記ゲート絶縁膜上に形成し前記第1のゲート電極よりもイオン注入に対する透過性が高い第2のゲート電極とを有するメモリセルを具備することを特徴とするマスクROM。

IPC (2件)：

H01L 27/112 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  G11C 17/00 305

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-185758
  
• 特開平2-284461
  
• 特開昭60-227474
  
• 特開平3-285350
  
• 特開昭63-081858