特許

J-GLOBAL ID：200903053544736797

磁気抵抗効果形センサ

発明者： リツトマール フオン ヘルモルト ,  ヨアヒム ウエツカー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258877
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221365
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 ペロブスカイト様の結晶構造を有し、また高められた磁気抵抗効果を示すそれぞれ1つのセンサ材料から成る少なくとも2つの層3、4から成る層系2を有する磁気抵抗効果形センサを、その温度依存性が減ぜられるように改善する。【構成】 各層3、4のセンサ材料が(A1)1-x (A2)x MnOz (ここでA1はランタン(La)を含むランタナイドの群またはイットリウム(Y)から選択された三価の成分、またA2はアルカリ土類金属の群または鉛(Pb)から選択された二価の成分であり、0.1≦x≦0.9かつ2.0≦z≦3.5)をベースとする組成を有し、また層系2の第2の層4のセンサ材料がその成分A1、A2、MnおよびOの少なくとも1つの成分または元素に関して層系2の第1の層3の材料と、層系2の電気抵抗の温度依存性が各個の層3、4の電気抵抗の温度依存性にくらべて減ぜられているように異なっている。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト様の結晶構造を有し、また高められた磁気抵抗効果を示すそれぞれ1つのセンサ材料から成る少なくとも2つの層(3、4)から成る層系(2)を有する磁気抵抗効果形センサにおいて、a)各層(3、4)のセンサ材料が(A1)1-x (A2)x MnOzここで-ランタン(La)を含むランタナイドの群またはイットリウム(Y)から選択された三価の成分A1-アルカリ土類金属の群または鉛(Pb)から選択された二価の成分A2-0.1≦x≦0.9かつ2.0≦z≦3.5をベースとする組成を有し、またb)層系(2)の第2の層(4)のセンサ材料がその成分A1、A2、MnおよびOの少なくとも1つの成分または元素に関して層系(2)の第1の層(3)の材料と、層系(2)の電気抵抗(R)の温度依存性が各個の層(3、4)の電気抵抗の温度依存性にくらべて減ぜられているように異なっていることを特徴とする磁気抵抗効果形センサ。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  C01G 45/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  G01D 5/18 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-294083
  
• 特開平3-196508
  
• スピン相互作用素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219595   出願人：株式会社日立製作所