特許
J-GLOBAL ID：200903053545224153
静電容量式センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-101771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-278105
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 高い信頼性を保ちながら高速応答性を実現できる静電容量式センサを提供する。【構成】 受信電極が形成されたメインスケールと、送信電極及び検出電極が形成されたスライダとが相対移動可能に対向配置され、相対位置により変化する対向電極間の静電容量を検出して変位測定を行う静電容量式センサであり、スライダは、ガラス基板21を用いて、このガラス基板21上に、TaNx膜201とこれに積層形成されたTa膜202とからなる積層構造の第1層電極が形成され、層間絶縁膜24を介して、TaNx膜203とこれに積層形成されたTa膜204とからなる積層構造の第2層電極が形成されている。
請求項（抜粋）：
それぞれに複数の電極が配列形成された第1,第2のスケールが相対移動可能に対向配置され、相対位置により変化する対向電極間の静電容量を検出して変位測定を行う静電容量式センサにおいて、前記第1,第2のスケールの少なくとも一方は、ガラス基板を用いて構成され、このガラス基板上に形成された電極がTaNx膜又はW膜とこれに積層形成されたTa膜とからなる積層構造を有することを特徴とする静電容量式センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 7/00 K
, G01D 5/24 C
