光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223968
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】光半導体装置に関し、従来に於ける通常の光半導体装置を製造するプロセスと同様なプロセスを採り、最後の段階で簡単なエッチング・プロセスを実施することで、光ビーム放射角を簡単に調節できるようにする。【解決手段】活性層22がクラッド層23、コンタクト層24などの所要各半導体層の積層方向(縦方向)を横切る方向(横方向)の全面に延在するリッジ導波路型半導体レーザに於いて、光の出射側に於ける活性層22の端面が他の所要各半導体層本体の端面に比較して奥まった位置に在る。

請求項（抜粋）：

活性層が所要各半導体層の積層方向を横切る方向の全面に延在するリッジ導波路型半導体レーザに於いて、光の出射側に於ける活性層端面が本体の端面に比較して奥まった位置に在ることを特徴とする光半導体装置。

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