特許
J-GLOBAL ID：200903053550867275
蒸着薄膜の単結晶化装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立花 良介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306103
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128072
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：
【要約】【目的】 薄膜蒸着時或いは予め形成された非晶質或いは多結晶薄膜を中性原子ビーム照射によって単結晶化する。【構成】 マイクロ波と高磁場によってプラズマ状態を保ち大イオン流放出するECR発生器を複数配置する。結晶が有する異なった最稠密面に対して直交する方向から夫々平行な中性原子流を照射するために,ECR発生器の傾き角度を所望値に設定する。大イオン流が中性原子流に変化した頃に蒸着薄膜に到達するように,ECR発生器の出口と蒸着薄膜との距離を設定する。【効果】 強い中性原子流が蒸着薄膜に照射されるため,結晶方位の揃った空格子点のない優れた単結晶が粒成長される。
請求項（抜粋）：
マイクロ波と高磁場によってプラズマ領域を保ち磁場方向に低エネルギーの大イオン流を放射するECR発生器を複数配置し,薄膜結晶の異なる最稠密面に直交する方向に夫々の中性原子流が照射されるように,蒸着薄膜に対して複数のECR発生器を傾けて配置する,蒸着薄膜の単結晶化装置。
IPC (2件)：
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