特許

J-GLOBAL ID：200903053555994852

炭化珪素膜及びその製造方法

発明者： 中野 順太 ,  長澤 弘幸 ,  八木 邦明 ,  河原 孝光
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-072809
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189598
出願日： 2004年03月15日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた炭化珪素膜等を提供する。【解決手段】単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法において、 前記基板表面の全部又は一部に1方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

{1 1 1}面に面欠陥を有する立方晶炭化珪素膜であって、 前記面欠陥密度が最も小さな結晶面を(1 1 1)面とした場合に、 (-1-1 1)面の面欠陥密度と前記(1 1 1)面の面欠陥密度とが同等であり、かつ、他の{1 1 1}面の面欠陥密度が、前記(1 1 1)面及び前記(-1-1 1)面の面欠陥密度より大きいことを特徴とする炭化珪素膜。

IPC (3件)：

C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB05 ,  4G077DB07 ,  4G077DB13 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE10 ,  4G077GA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC09 ,  4G077TE03 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC05 ,  5F045AC09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-214099