特許
J-GLOBAL ID:200903053556060462

薄膜試料の厚さ測定及び元素定量分析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 縣 浩介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-210002
公開番号(公開出願番号):特開平5-026826
出願日: 1991年07月25日
公開日(公表日): 1993年02月02日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜試料で基板と薄膜において同一元素が含まれている場合で、基板及び薄膜元素が既知の場合において、EPMAのようなX線分光的方法により定量分析と膜厚測定を併せて行う方法を提供する。【構成】 或る適当な加速電圧で加速した電子ビームで励起された構成元素既知の薄膜試料から放射される成分元素の特性X線強度と、上記と同じ加速電子ビームで励起された成分元素の単体標準試料から放射される特性X線強度との比(X線強度比)を、それを実測的に求め得る元素において実測的に求めておき、X線強度比が実測的に求め得ない元素のX線強度比を、上記で求めた他の元素のX線強度比と、測定不能元素と他の元素との化学結合形態から求め、全成分の上記X線強度比から特定な式によって薄膜の厚さを算定し、また、上記X線強度比の比から試料の薄膜の各成分元素濃度を算定する。
請求項(抜粋):
或る適当な加速電圧で加速した電子ビームで励起された構成元素既知の薄膜試料から放射される成分元素の特性X線強度と、上記と同じ加速電子ビームで励起された成分元素の単体標準試料から放射される特性X線強度との比(X線強度比)を、それを実測的に求め得る元素において実測的に求めておき、X線強度比が実測的に求め得ない元素のX線強度比を、上記で求めた他の元素のX線強度比と、測定不能元素と他の元素との化学結合形態から求め、全成分の上記X線強度比から下記式[1]によって薄膜の厚さを算定し、また、上記X線強度比の比から試料の薄膜の各成分元素濃度を仮定し、仮定した成分元素濃度と上記膜厚のもとで、試料入射電子の軌跡のシミュレーションによって、各成分元素の計算によるX線強度比を計算で求め、同計算によるX線強度比が上記測定によるX線強度比に等しくなるように、各成分元素濃度及び膜厚を修正し、上記修正した仮定濃度及び膜厚を用いて上記と同じシミュレーションを行い、以下同様の計算の繰返しにより、逐次近似的に薄膜試料の元素濃度及び膜厚を決定するようにしたことを特徴とする薄膜試料の厚さ測定及び元素定量分析方法。【数1】ただし、ρZri=7.0(Eo1.65 -ECi1.65) μg/cm2Eo ;加速電圧、ECi;元素iのX線励起電圧
IPC (2件):
G01N 23/225 ,  G01B 15/02

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