特許

J-GLOBAL ID：200903053560837455

パターン形成方法

発明者： 伊藤 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090149
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 フォーカス値を可変して露光した場合にも、露光部と非露光部との光強度差を十分大きくすることができ、段差のある被処理基体に高精度にパターンを形成することを可能にする。【構成】 段差を有する被処理基体上に所望のレジストパターンを形成するためのパターン形成方法において、半導体基板11上に感光性樹脂材料からなるレジスト膜12を形成したのち、このレジスト膜12上に強い光に対して透過率が高く弱い光に対して透過率が低い光学コントラスト増強被膜13を形成し、光源の開口数に対するレンズ系の開口数の比(コヒーレンスファクター)σを0.72以上有する投影露光装置を用い、フォーカス位置を複数回変化させるか又はフォーカス値を連続的に変化させて、レジスト膜12に所望パターンを露光することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に感光性樹脂材料からなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上に強い光に対し透過率が高く弱い光に対し透過率が低い光学コントラスト増強被膜を形成する工程と、フォーカス位置を複数回変化させるか又はフォーカス値を連続的に変化させて、前記レジスト膜に所望パターンを露光することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/207 ,  G03F 7/26 512

FI (3件)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 311 N