特許

J-GLOBAL ID：200903053561451984

フオトリフラクテイブ素子用のCdTe単結晶とその製造方法

発明者： 小川 貴史
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-228928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070298
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】 応答性に優れ、高感度、高効率のフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶とその製造方法を提供すること。【構成】 不純物金属原子がドーピングされてそのエネルギーバンドギャップ中に深いトラップ準位を有するフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶であって、不純物金属原子がGaにより構成され、かつこのGa濃度が5×1016atoms/cm3 以上,5×1018atoms/cm3 以下であり、その他の不純物原子の総原子濃度が7×1014atoms/cm3 以下であることを特徴とする。そして、従来のIn等に代えてGa原子を適用したことによりCdTe単結晶の結晶性が改善され、かつ結晶中の熱励起に伴うキャリアの生成が抑制されてその比抵抗値も高くなるため光照射による充分なPF効果を生じさせることが可能となる。

請求項（抜粋）：

不純物金属原子がドーピングされてそのエネルギーバンドギャップ中に深いトラップ準位を有するフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶において、上記不純物金属原子がGaにより構成され、かつ、このGa濃度が5×1016atoms/cm3 以上,5×1018atoms/cm3 以下であり、その他の不純物原子の総原子濃度が7×1014atoms/cm3 以下であることを特徴とするフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/48 ,  C30B 11/00 ,  G02F 1/35 ,  G03H 1/02