特許
J-GLOBAL ID：200903053562048547
反射防止膜およびこれを用いたパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194034
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064492
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 コンフォーマルな有機色素系反射防止膜を用い、寸法精度の高いパターン形成を行う。【構成】 フォトレジスト溶媒よりも高い極性を有する溶媒に可溶で、150〜450nmの波長域で光吸収を示す無金属フタロシアニンのコンフォーマルな蒸着膜を、反射防止膜3として用いる。この上に露光と現像によりフォトレジスト・パターン4aを形成し、O2 プラズマRIEで反射防止膜3の表出部を除去した後、下地材料膜2を異方的にエッチングする。フォトレジスト・パターン4aと反射防止膜パターン3aとは、無機系または有機系のレジスト剥離液を用いるか、またはアッシングを行って同時に除去する。【効果】 エキシマ・レーザ・リソグラフィにおいて、反射防止効果を基板面内で均一化し、フォトレジスト・パターン4aの寸法変動を抑制できる。
請求項（抜粋）：
フォトレジスト溶媒よりも高い極性を有する溶媒に可溶であり、かつ150〜450nmの波長域で光吸収を示す有機化合物からなる反射防止膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 574
, H01L 21/30 575
