特許

J-GLOBAL ID：200903053563550025

半導体装置の製造方法

発明者： 保田 広安
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096890
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291140
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコンからの熱拡散によりソース/ドレイン拡散層を形成する方法において、高濃度不純物拡散層と低濃度不純物拡散層とを一度の熱処理により同時に形成し、LDD構造とする。【構成】 ゲート電極3の形成後、全面にシリコン酸化膜4とポリシリコン膜5を順次堆積し、ポリシリコン膜5を通したイオン注入によりシリコン酸化膜4にフッ素を導入する。すると、ゲート電極3の近傍のポリシリコン膜5が厚い部分では、その外側部分に比べて、シリコン酸化膜4に導入されるフッ素の量が少なくなるので、後にポリシリコン膜5から基板1にホウ素を熱拡散させる際、ゲート電極3の近傍ではフッ素によるホウ素の拡散促進効果が小さくなり、この部分には低濃度拡散層9が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜の上に第1の多結晶シリコン膜を形成する工程と、この第1の多結晶シリコン膜及び前記第1の絶縁膜を所定のパターンに加工する工程と、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、この第2の絶縁膜の上に第2の多結晶シリコン膜を形成する工程と、この第2の多結晶シリコン膜を通したイオン注入により前記第2の絶縁膜中にフッ素を導入する工程と、少なくとも前記第1の多結晶シリコン膜の上の前記第2の多結晶シリコン膜を除去する工程と、少なくとも前記第2の多結晶シリコン膜にホウ素を導入する工程と、前記第2の多結晶シリコン膜から前記第2の絶縁膜を通してホウ素を前記半導体基板中に導入すべく熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P