特許

J-GLOBAL ID：200903053566182965

電界効果型トランジスタ

発明者： 中島 伸一郎 ,  大澤 利幸 ,  君野 和也 ,  亀田 昌宏 ,  吉野 勝美
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  吉野 勝美
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130060
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006863
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】本発明は、新規錯体およびそれを用いた成型性、加工性に優れ、かつ空気中高温で安定であり、さらに低印加電圧にて電流-電圧特性(V-I特性)におけるメモリ効果を有する電界効果型トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】チャネル層が(a)特定のポリアニリンと(b)特定の有機アクセプター、とよりなる錯体で構成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

チャネル層が、 (a)下記一般式(I)

IPC (5件)：

H01L29/786 ,  C08G73/00 ,  C08L79/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  C08G73/00 ,  C08L79/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 613B

Fターム (33件)：

4J002CM011 ,  4J002EE056 ,  4J002EL076 ,  4J002ET006 ,  4J002FD116 ,  4J002GQ05 ,  4J043PA09 ,  4J043QB02 ,  4J043RA03 ,  4J043RA08 ,  4J043SA05 ,  4J043UA121 ,  4J043ZA45 ,  4J043ZB47 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA60 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-207975
  
• 特開平3-052929
  
• 特開平1-207975
  
• 特開平3-052929