特許

J-GLOBAL ID：200903053573362200

半導体パッケージ及びその製造方法

発明者： 伊藤 誠 ,  大沢 健治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129467
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312374
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 超多ピン構造をなす半導体パッケージの品質安定化を図る。【解決手段】 リード接合面側にチップ収容凹部5aが形成された補強板5と、この補強板5のチップ収容凹部5aに収容固定された半導体チップ4と、補強板5のリード接合面上に接合保持されるとともに、半導体チップ4にバンプ16を介してインナーリード部3aが接合されかつアウターリード部3bに突起電極14が形成された複数のリード3と、このリード3のバンプ形成領域及び電極形成領域を除いて該リード3上に形成されたソルダーレジスト膜12と、リード3のインナーリード部3a側に位置してソルダーレジスト膜12の上に形成されたポリイミド膜13とを備えた半導体パッケージ1とその製造方法。

請求項（抜粋）：

リード接合面側にチップ収容凹部が形成されたパッケージ本体と、前記パッケージ本体のチップ収容凹部に収容固定された半導体チップと、前記パッケージ本体のリード接合面上に接合保持されるとともに、前記半導体チップにバンプを介してインナーリード部が接合されかつアウターリード部に突起電極が形成された複数のリードと、前記リードのバンプ形成領域及び電極形成領域を除いて該リード上に形成されたリード保護膜と、前記リードのインナーリード部側に位置して前記リード保護膜の上に形成されたリード補強膜とを備えたことを特徴とする半導体パッケージ。