薄膜トランジスタ装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047544
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252172
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】電気特性の優れた多結晶TFTを提供する。【解決手段】多結晶膜3を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置4のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒5だけを、しかも所望の結晶面(ファセット)6を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。

請求項（抜粋）：

多結晶半導体膜を形成する工程と、前記多結晶半導体膜を部分的に除去する工程と、該部分的除去工程で残された前記多結晶半導体膜の領域から特定の面方位を露出するための結晶面異方性を有する除去工程と、該結晶面異方性を有する結晶を種として結晶成長させる工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (9件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 627 G

Fターム (66件)：

2H092KA04 , 2H092MA17 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 5C094AA13 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094FA01 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5C094JA09 , 5C094JA20 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052FA01 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF23 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN62 , 5F110NN63 , 5F110NN65 , 5F110PP03 , 5F110PP36 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11

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