特許
J-GLOBAL ID:200903053577531643

化学的機械研磨装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-138791
公開番号(公開出願番号):特開平10-329007
出願日: 1997年05月28日
公開日(公表日): 1998年12月15日
要約:
【要約】【課題】 ドレッシング工程が不要で、マイクロスクラッチ発生を抑制した平坦化処理の可能な研磨布を有する化学的機械研磨装置を提供する。【解決手段】 化学的機械研磨装置の主要部を、研磨布51を設置する研磨定盤、被処理基板を保持する保持基盤、研磨液供給部で構成し、研磨定盤に設置する上記研磨布51の表面には、デルタ状に配列した、深さHが約800μm程度で間隔Pが約300μm程度の円錐台状の小孔52が多数形成された凹凸部51aが設けられている。【効果】 この化学的機械研磨装置を平坦化処理工程に用いた、高集積化した半導体装置の製造歩留が向上する。
請求項(抜粋):
所定深さの小孔を所定間隔で多数配列した研磨布を設置した研磨定盤と、被処理基板を保持する保持基盤と、研磨液を供給する研磨液供給部とを有することを特徴とする、化学的機械研磨装置。
IPC (2件):
B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321
FI (2件):
B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 321 E

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