特許

J-GLOBAL ID：200903053587360588

プラズマ処理方法

発明者： 久保田 紳治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139764
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008232
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 プラズマエッチングやプラズマCVD等のプラズマ処理における、被処理基板温度の精密な温度制御方法を提供する。【構成】 プラズマ処理の直前に、不活性ガスによる予備プラズマ処理を施して被処理基板温度を平衡状態にする。この後、連続して目的とするプラズマ処理を施す。【効果】 プラズマ処理初期における、プラズマ照射に基づく被処理基板の温度上昇は、予備プラズマ処理の期間中にほぼ終了する。このため目的とするプラズマ処理時においては、被処理基板温度が変動することがなく、きわめて安定したプラズマ処理が可能となる。この予備プラズマ処理により、被処理基板の表面形状が実質的に変化を受けることはない。

請求項（抜粋）：

基板ステージの温度を制御しつつ、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、該プラズマ処理の直前に、予備プラズマ処理を施して前記被処理基板の温度を安定化した後、連続的に該プラズマ処理を施すことを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F