特許

J-GLOBAL ID：200903053588201890

半導体素子収納用パッケージ

発明者： 松園 清吾 ,  井口 公明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347447
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152128
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よく放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生する。【解決手段】基体1と、配線層6を有する枠状絶縁体2と、蓋体3とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体2は40〜46重量%の酸化珪素と、25〜30重量%の酸化アルミニウムと、8〜13重量%の酸化マグネシウムと、6〜9重量%の酸化亜鉛と、8〜11重量%の酸化硼素から成る結晶性ガラスで形成されており、かつ前記基体1は38乃至95重量%の立方晶窒化硼素と、5乃至62重量%の銅とから成る。

請求項（抜粋）：

上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、半導体素子の各電極が接続される配線層を有する枠状絶縁体と、前記枠状絶縁体上に取着され、枠状絶縁体の内側を気密に封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体は40〜46重量%の酸化珪素と、25〜30重量%の酸化アルミニウムと、8〜13重量%の酸化マグネシウムと、6〜9重量%の酸化亜鉛と、8〜11重量%の酸化硼素から成る結晶性ガラスで形成されており、かつ前記基体は38乃至95量%の立方晶窒化硼素と、5乃至62重量%の銅とから成ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。