特許
J-GLOBAL ID：200903053589928336
アモルファスシリコン薄膜の成膜方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335244
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体材料としての膜質を確保できると共に、半導体デバイスの製造上、必要とされる膜厚を短時間で成膜する方法を提供する。【構成】 プラズマCVD法で基板4の表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成膜する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法で基板表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成膜することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。
引用特許：
前のページに戻る
