特許

J-GLOBAL ID：200903053602720146

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石川 修 ,  太田 順道 ,  前田 昌宏 ,  西嶋 将明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243396
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 基板厚さが100ミクロン以下と薄くても基板歪がなく、電気的特性が安定な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【構成】 GaAs基板1の表面に半導体素子が形成された半導体チップの、殆ど裏面全面に高融点金属または高融点金属シリサイド等の高融点金属4を含む金属膜が堆積されている構成とする。

請求項（抜粋）：

表面に半導体素子が形成された半導体チップの、殆ど裏面全面に高融点金属または高融点金属シリサイド等の高融点金属を含む金属膜が堆積されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 29/44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-215642
  
• 特開昭57-152649
  
• 特開昭61-019031