アナログスイッチ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003028
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196384
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、信号に与える歪みを大幅に改善でき、かつ、動作電圧のマージンを大きくとることができるアナログスイッチ回路を提供することを目的とする。【解決手段】トランジスタ(Q15)をオンさせてトランジスタ(Q15)のコレクタに供給される正負両極性の信号を前記トランジスタ(Q15)のエミッタから出力するアナログスイッチ回路で、ベース領域(45)の周囲を囲むようにコレクタ電極(49)と接続される高濃度不純物領域(43)を形成したため、トランジスタ(Q15)の逆方向の電流増幅率を順方向の電流増幅率に近づけることができ、トランジスタ(Q15)を通る正負両極性の信号に与える歪みを大幅に改善でき、かつ、正負両極性の信号電圧がトランジスタ(Q15)のコレクタ・ベース間耐圧に規制されることがなく、動作電圧のマージンを大きくとることができる。

請求項（抜粋）：

トランジスタをオンさせて前記トランジスタのコレクタに供給される正負両極性の信号を前記トランジスタのエミッタから出力し、前記トランジスタをオフさせて前記トランジスタのコレクタに供給される前記正負両極性の信号が前記トランジスタのエミッタから出力されないよう遮断するアナログスイッチ回路であって、前記トランジスタは、コレクタ領域内にベース領域を形成し、前記ベース領域内にエミッタ領域を形成し、かつ、前記ベース領域の周囲を囲むようにコレクタ電極と接続される高濃度不純物領域を形成したことを特徴とするアナログスイッチ回路。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/8222 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 27/06 101 B

Fターム (20件)：

5F003AP00 , 5F003BA22 , 5F003BA25 , 5F003BC08 , 5F003BC90 , 5F003BG03 , 5F003BH01 , 5F003BH18 , 5F003BJ99 , 5F003BN02 , 5F082AA13 , 5F082BA02 , 5F082BA23 , 5F082BA47 , 5F082BA50 , 5F082BC01 , 5F082DA03 , 5F082EA01 , 5F082FA20 , 5F082GA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭47-012067
特開昭58-223364
特開昭47-012067

全件表示

前のページに戻る