特許
J-GLOBAL ID：200903053605471414
電界放出型電子源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235597
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198253
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 物理的に安定であって、電気的特性及び機械的特性に優れ、仕事関数が低い電界放出型電子源を提供する。【構成】 シリコン基板電極10上にはチタン層11a が形成され、チタン層11a 上には、炭素の組成比が上方に向かって連続的に増加するようにチタン炭化物層11b が形成され、最上部に炭化チタン層11c が形成されている。即ち電界放出型冷陰極11は炭化チタン層11c 、チタン炭化物層11b 及びチタン層11a によって構成される。電界放出型冷陰極11の製造はチタン(Ti)の金属蒸着源及び炭化チタン(TiC)の金属炭化物蒸着源を用いた2源蒸着法によって実施され、金属炭化物の組成比は蒸着源の蒸着レートを制御することによって制御される。
請求項（抜粋）：
金属又は半導体材料で形成された基板電極と、該基板電極上に設けられかつ該基板電極に電気的に接続されている金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物又は金属ほう化物で形成された複数の電界放出型冷陰極とを備えた電界放出型電子源であって、前記電界放出型冷陰極を構成する炭素、窒素、酸素又はほう素の組成比が、前記基板電極の近傍から前記電界放出型冷陰極の先端に向かって徐々に増加するように構成されたことを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
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