特許

J-GLOBAL ID：200903053607545938

パターン形成方法

発明者： 清水 竜
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059819
公開番号（公開出願番号）：特開平5-224424
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 位相シフト露光を利用したウエハ上位相シフト法において、深さが一定であって矩形状をなすシフタ段差を形成して、微細なレジストパターンを基板上に形成する。【構成】 基板1上に、第1レジスト膜2,保護膜3,コントラスト増強膜4,第2レジスト膜5をこの順に積層させた後((a)) 、第2レジスト膜5をパターニングしてレジストパターン5aを形成し((b)) 、レジストパターン5aの下方では位相が180 °反転するような一括露光を行い((c)) 、その後現像処理により、レジストパターン5aのエッジ部において第1レジスト膜2からなる微細なレジストパターン2aを形成する((d)) 。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成した後、露光処理と現像処理とを施して前記基板上に所定のレジストパターンを形成する方法において、前記基板上に第1レジスト膜を形成する工程と、前記第1レジスト膜と感光する波長域が異なり前記第1レジスト膜を感光する光線に対する透過率が高い第2レジスト膜を前記第1レジスト膜上に形成する工程と、露光処理と現像処理とを施して前記第2レジスト膜をパターニングする工程と、前記第1レジスト膜を感光させる光線を照射して、形成した前記第2レジスト膜のパターンのエッジに沿って前記第1レジスト膜に所定のパターンを焼きつける工程と、現像処理を施して前記第1レジスト膜による所定のレジストパターンを前記基板上に形成する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 361 S