特許
J-GLOBAL ID：200903053608487737
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243773
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】金属電極部(バンプ)の形成工程を簡単にすることにより、コストの削減を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電極転写用基板20は、ガラス基板21とその表面にパターン形成されたシード膜部Sとを有する。シード膜部Sに選択的に金属をめっきしてバンプBを形成する。この電極転写用基板20と半導体チップ10とを圧接することにより、バンプBは、電極転写用基板20から、半導体チップ10のパッド部Pへと転写される。【効果】半導体基板1上での複雑な工程を要することなくバンプBを形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属電極部を有する半導体装置の製造方法であって、上記半導体基板とは別の電極転写用基板の表面に、金属電極部をパターン形成する工程と、この電極転写用基板と上記半導体基板とを圧接することにより、上記金属電極部を、上記電極転写用基板から上記半導体基板上へと転写させる転写工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 F
, H01L 21/92 604 B
