特許

J-GLOBAL ID：200903053611747642

半導体ウェーハの平坦化方法

発明者： 林 俊 秀
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372955
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189294
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 配線パターン付き半導体ウェーハを、その配線の表面状態に関わらず、安定した研磨レートの下でCMPにて研磨する。【解決手段】 配線パターンが付与された半導体ウェーハの表面を研磨パッドに圧接させながら半導体ウェーハの表面を研磨する際に、研磨の進行に伴って変化する半導体ウェーハの表面の状態を考慮して、半導体ウェーハの表面を研磨パッドに圧接するための圧力を研磨の途中で変更する。研磨の進行に伴って変化する半導体ウェーハの表面の状態に応じた最適の圧力にて研磨パッドに半導体ウェーハの表面を圧接させながら半導体ウェーハの表面を研磨する。

請求項（抜粋）：

配線パターンが付与された半導体ウェーハを化学的機械的研磨によって平坦化する方法において、前記半導体ウェーハの表面を研磨パッドに圧接させながら前記半導体ウェーハの表面を研磨する際に、研磨の進行に伴って変化する前記半導体ウェーハの表面の状態を考慮して、前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドに圧接するための圧力を研磨の途中で変更し、これにより、研磨の進行に伴って変化する前記半導体ウェーハの表面の状態に応じた最適の圧力にて前記研磨パッドに前記半導体ウェーハの表面を圧接させながら前記半導体ウェーハの表面を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 B ,  H01L 21/28 301 R

Fターム (10件)：

3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058BA05 ,  3C058BC02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4M104BB04 ,  4M104DD99 ,  4M104HH12